您当前的位置: 创新安卓网 > 热点

西安电子科技大学攻克1200V以上增强型氮化镓电力电子芯片量产

来源:电子工程网 时间:2024-07-12 11:15 阅读量:7483   
导读1.jpg 6英寸蓝宝石基增强型e-GaNHEMTs晶圆在该项目的研究中,研究团队还成功研发了8英寸GaN电力电子芯片,首次证明了8英寸蓝宝石基GaNHEMTs晶圆量产的可行性,并打破了传统GaN技术难以同时兼顾大尺寸、高耐压、低成本的国...

1.jpg

6 英寸蓝宝石基增强型 e-GaN HEMTs 晶圆在该项目的研究中,研究团队还成功研发了 8 英寸 GaN 电力电子芯片,首次证明了 8 英寸蓝宝石基 GaN HEMTs 晶圆量产的可行性,并打破了传统 GaN 技术难以同时兼顾大尺寸、高耐压、低成本的国际难题,被国际著名半导体行业杂志《Semiconductor Today》专题报道。

免责声明:该文章系本站转载,旨在为读者提供更多信息资讯。所涉内容不构成投资、消费建议,仅供读者参考。